M82300-12/UM型 PECVD鍍膜設備

PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備，是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。 M82300-12/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。

關鍵詞：

泛半導體高端工藝裝備制造商、智能制造和整線集成解決方案提供商

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M82300-12/UM型 PECVD鍍膜設備

設備概述：

PECVD即等離子體增強化學氣相淀積設備，是利用高頻電源輝光放電產生等離子對化學氣相沉積過程施加影響的技術。

M82300-12/UM型 PECVD設備主要用于TOPCON和PERC電池正背面氮化硅減反射鈍化薄膜的生長，也可以用于PERC電池背面氧化鋁薄膜的生長。

產品的主要特點及優勢：

單管產能大，單片COO成本低，設備投資成本低；
設備高度可適應4.5米廠房空間，節省廠房建設運營成本；
恒溫區長達2600mm，管徑達610mm，單管載片量大；
輔熱分段可控，有效提高整舟均勻性；
推舟管控一對一配置，設備穩定性高；
具備背面氧化鋁工藝能力，預留TOPCON升級空間

主要技術參數

成膜種類	氮化硅、氮氧硅、氧化硅、氧化鋁（選配）	石英管直徑	610MM（外徑）/598MM(內徑）
膜厚范圍	70 - 150NM（氮化硅）	成膜均勻性	氮化硅：片內≤4%、片間≤4%、批間≤3%
	8 - 20NM（氧化鋁），80 - 150NM（氮化硅）		氮化硅+氧化鋁：片內≤6%、片間≤6%、批間≤5%
典型產能	6000片/小時/臺（M10硅片，氮化硅，6管/臺）	溫度控制范圍	260 ～ 650℃
	4800片/小時/臺（M12硅片，氮化硅，6管/臺）
	5050片/小時/臺（M10硅片氮化硅+氧化鋁，6管/臺）	恒溫區長度及精度	2≤±1℃/2600MM(450℃）
	4080片/小時/臺（M12硅片氮化硅+氧化鋁，6管/臺）
典型裝片量	760片/舟（M10）、612片/舟（M12）	工作壓力	220±40PA（VAT閥控壓）

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